Número de Producto del Fabricante:
TSM180N03PQ33 RGG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM180N03PQ33 RGG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 25A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.08)
Inventario:
10000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12894329
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ENVIAR
TSM180N03PQ33 RGG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
345 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (3.1x3.08)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TSM180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TSM180N03PQ33 RGGDKR
TSM180N03PQ33 RGGCT
TSM180N03PQ33RGGDKR
TSM180N03PQ33 RGGCT-DG
TSM180N03PQ33 RGGTR-DG
TSM180N03PQ33RGGCT
TSM180N03PQ33 RGGTR
TSM180N03PQ33RGGTR
TSM180N03PQ33 RGGDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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